-

/------

az oxigén-ninducifects a kúszás tulajdonságaihoz-----

 

--&#

 --a Por Kohászat, kihívást jelent az ötvözet oxigéntartalmának szabályozására, mivel az ötvözetporok könnyen vonzódnak az oxigént a légkörből. Anikkel szuperötvözetek, az oxigén szennyezés csökkenti törésélet és alakíthatóság mindkét öntött és a P

M superalloys.The fölös oxigén jelenlétét ötvözet okoz szegregációs problémát a szemcsehatárokon. Ez jelentősen csökken a szétválasztás munkájának a gabona határa, azaz a repedések kialakulásának fokozott hajlama [32]. Ezenkívül a szegregált oxigén jelenléte megkönnyíti az üresedési képződést a gabona határa közelében lévő helyeken, amely viszont elősegíti a vágyó atomok diffúzióját a gabonahatárhoz, és várhatóan megnöveli a szemcsés részecskék fokozott koncentrációját . Az oxigén által a környezeti szennyeződés révén a gabonafélék tárgyanagy figyelmet kapott, és a Woodford és a Bricknell vizsgálta [33]. A gabona megteremtése és az emlomás közötti kapcsolatot feltételezték. A köztes hőmérsékleten a deformáció a gabonafélék által okozott hibás csúszás következik be, és a csúszás a közelesített régiókban és a határon áthalad. Az oxigén a határtalanításból és a gabona hiányából származik. Számos mechanizmust javasoltak arra, hogy felelősek legyenek az oxigén behatolás gabonafélékéért. Két ilyen mechanizmus az oxigén szegregációja a szemcsemei határain és az oxigén szulfidok kicsapódásához [34]. Az oxigén jelenléte a René 41-ben a SAC (törzs-krakkolás) előfeltétele volt, és az oxigén szegregáció a szemcseméretekre csökkenti a határerősséget. Ezek azt mutatták, hogy az oxigén hasonló hatással Alloy 718 és WASPALOY [35].

 Az a jelen tanulmány, HX, mintbuilt mintának tartalmaz 115 ppm oxigént. Ezzel szemben, a HX-a, mint-built mintának volt oxigén szintje 82 ppm, amely a 50-100 ppm tartományban, amelynél szuperötvözetek tapasztalni jelentősnövekményt szakítófeszítési életben [36]. Ezt a problémát is figyelembe vesszük a 718-ban gyártott, és az oxigénbőség megelőzésére szolgáló intézkedéseket is az SLM által előállított Y-in718 hozzáadásával. Az Y hozzáadásának javította a kúszás szakadási életét és a SuperAlloy duktilitását [37]. A Y2O3 HXA-nál képződésében a gabona belsejében (4. ábra) az Y hozzáadása csökkenti az oxigént a gabona határain. Ennek eredményeképpen a HX

A minta jobb kúpos tulajdonságokat mutatott, annak ellenére, hogy sok függőleges repedés volt. Az oldott oxigén stabilizálása az egyik oka lenne az egyik oka annak, hogy az Y hozzáadása végül jobb kúszás élettartamot és szakadásinyúlást eredményez a függőleges példányokban (10a. Ábra, C) a gabona határfelületének megakadályozásával.

 a--

 -- -

\\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n A következő eredményeket kaptuk. \\ N \\n \\n \\n1. \\ N \\n ynn1 A W, SI, C és Y szegregáció volt, ami karbid kialakulást okoz az SLM folyamat során a repedéseken. Bár a Y \\nfree példányban, W, SI és C-ben alakultak ki, a W, SI és C-ben a repedéseken szegregáltak. \\ N \\n \\n \\nn2. \\ N \\n \\n \\n Nalthough volt a hx \\na minta sok repedése, a kúszás élete hosszabb volt, mint a HX minta. Ez azért van így, mert az oxigénszint alacsonyabb (82 ppm) a HX \\ NA mintában, és az oxigént Y stabilizáljuk Y-vel. A HX példányban a túlzott oxigén (115 ppm) az ötvözetben oxigéntartalmat okoz. \\ N \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\nA Solution kezelés, HX \\ NA MINDIKUS KÜLÖNBÖZŐ ÉLET az AS \\ NBUILT állapotban. Nyolc volt hosszabb, mint amely a HX ST mintát miatt a fenntartása egy oszlopos szemcse morfológiájának után is oldatban hőkezelés. Ezenkívül az M6C-karbid, a SiO2 és az Y2O3-oxidok kialakulása miatt javították a kúszás élettartamát és a duktilitást a HX ST mintához képest. Az oldott oxigén stabilizálása az egyik oka annak, hogy az Y hozzáadását végül jobb kúszás élettartamot és szakadást eredményez a vertikális példányok meghosszabbításával a gabona határtalanítás megelőzésével. \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n Nnn4 mind a hx, mind a hx \\na minták, a repedések az anizotróp kúszás tulajdonságait eredményezték. Ezenkívül egy oszlopos szemcsés morfológia jelenléte az AS \\nbuilt állapotban \\n \\n \\n \\n \\ NAND AS \\n \\n \\n \\nAmn \\n